استفاده از تبدیل فوریه در محیط های متناوب مانند بلورها روش مناسب برای تعیین نوع و اندازه مربوط به مدهای موجود در یک بلور است. با بکارگیری این الگو می توان تاثیر میدان اعمال شده خارجی تک مد یا چند مد، در این نمونه از محیط ها را بررسی و تحلیل کرد. به کمک این روش می توان محاسبات را از فضای ابعاد به فضای عدد موج تغییر داد تا به سهولت، تاثیرات غیر خطی محیط مانند اثر کر را مطالعه کرد. حاصل برهم کنش بین میدان خارجی و محیط بلور در خروجی سامانه به صورت مدهای مقیاس شده منبع تحریک کننده خواهد بود. همچنین مدهای با دامنه کم ایجاد اثرات پاشندگی در محیط بلور را فراهم می سازند.

هدف از این تحقیق بررسی ویژگی های گرمایی نقره در حضور ناکاملی خطی بلوری با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی می باشد. این شبیه سازی در هنگرد هم دما و هم فشار (NPT) و هم دما و هم حجم (NVT) بر مبنای پتانسیل برهم کنشی ساتن-چن کوانتومی انجام شده است. ویژگی های گرمایی نقره از جمله انرژی بستگی، نقطه ذوب، ظرفیت گرمایی در فشار ثابت و ضریب انبساط حجمی برای بلور ایده ال و بلور دارای نقص خطی در جهت [001] را محاسبه کردیم. همچنین کمیت هایی چون تابع توزیع شعاعی، پارامتر نظم و ضریب لیندمان که اطلاعاتی از ساختار و نظم بلوری می دهند، در دماهای مختلف محاسبه کرده و با مقایسه بلور ایده ال و غیر ایده ال نتیجه گرفتیم که با افزایش نقص خطی انرژی بستگی و ضریب انبساط حجمی افزایش، دمای ذوب و گرمای نهان ذوب در هنگرد (NPT) و (NVT) کاهش می یابد. همچنین ظرفیت گرمایی مستقل از ناراستی خطی می باشد.

در این مقاله، ما یک مدولاتور الکترو-اپتیک بر اساس جذب گرافن ارائه می کنیم. در این ساختار، گرافن بر روی اکسید آلومینیوم قرار گرفته که ساختار به صورت متناوب تکرار می شود. این ساختار متناوب گرافن بر اکسید آلومینیوم در داخل یک حفره نیم استوانه ای، درون یک کاواک نانو پرتو بلور فوتونی یک بعدی قرار گرفته است. برخلاف مقالات قبلی که کاواک نانو پرتو بلور فوتونی یک بعدی شامل حفره های استوانه ای بوده و نواحی مختلف با تغییر شعاع این حفره ها ایجاد می شد، در این ساختار از حفره های نیمه استوانه ای استفاده شده و با چرخش این نیم استوانه ها، نواحی مختلف ساختار کاواک نانو پرتو بلور فوتونی ایجاد می شود. این نوع بلور فوتونی دارای ضریب کیفیت بالایی است. همچنین این نوع مدولاتورها پس از ساخت به فضای کمی نیاز دارند، بنابراین گزینه بسیار مناسبی برای مدارهای مجتمع هستند. در این مقاله از روش دامنه محدود در حوزه زمان-سه بعدی برای تحلیل استفاده شده است. در این مدولاتور مشاهده می شود که با تغییر ولتاژ بایاس میزان پیک جذب و همچنین طول موج رزونانس آن تغییر می کند. در نتیجه این تغییرات، به عمق مدولاسیونی در حدود 7 دسی بل دست می یابیم. ساختار پیشنهادی ما می تواند کاربردهای بالقوه ای در مدارهای مجتمع نوری، به ویژه در فرکانس های مخابراتی داشته باشد.

در شبکه های انتقال امروزی، خروج ناگهانی برخی از واحدهای تولیدی (GUs) از چرخۀ تولید، بسیار خطرآفرین برای بهره بردار سیستم قدرت است. همچنین، واحدهای تولیدات پراکنده در شبکۀ توزیع یا DNs با داشتن قابلیت واکنش سریع می توانند جایگزین نسبتاً مناسبی برای GUs خارج شده باشند. بر اساس این، همکاری بین TN و DN امری ضروری است؛ اما حل مسئلۀ همکاری TN و DN بدون در نظر گرفتن پخش بار بهینه متناوب و حفظ امنیت تبادل اطلاعات بین دو بهره بردار شبکه، امری غیر ممکن است؛ به همین دلیل، در این مقاله، یک مدل خطی شده برای پخش بار بهینۀ متناوب برای هر دو شبکه ارائه شده است. همچنین، برای حل مسئلۀ همکاری بین دو بهره بردار شبکه یک روش حل مؤثر غیر متمرکز ارائه شده که در آن امنیت تبادل اطلاعات حفظ شده است. در این مقاله، برای پیاده سازی شبیه سازی مسئلۀ پیشنهادی از دو TN استاندار 30 و 118 شینه IEEE و دو شبکۀ استاندار توزیع 33 و 69 شینه  IEEEاستفاده شده است. نتایج شبیه سازی مزیت و کارایی روش مسئلۀ بهینه سازی و روش حل پیشنهادی نشان می دهند.

آزمایش های تابش کانالی الکترون در شتاب دهنده خطی الکترون ELBE در مؤسسه تحقیقاتی روزندورف درسدن آلمان انجام شده است. هدف از انجام این سری از آزمایش ها تلاش برای بهینه کردن بهره تابش و پهنای خطوط طیفی به منظور کاربرد تابش کانالی در تهیه پرتو X تک انرژی بوده است. بلورهای الماس با توجه به دمای دبای بالا و رسانندگی گرمایی بالایشان می توانند در جریان های الکترون نسبتا بالا به کار برده شوند. آزمایش های تابش کانالی از صفحه (110) در انرژی های الکترون 14، 6، 17، 30 و 34 مگا الکترون ولت با استفاده از بلورهای الماس با ضخامت های 42، 5، 102، 168 و 500 میکرومتر انجام شده اند. این نتایج منجر به نصب یک چشمه پرتو X در شتاب دهنده خطی الکترون ELBE شده است. باریکه الکترون با میانگین جریان تا 200 μ A اجازه می دهد تا نرخ فوتون به 1-s1010 تا 1-s1011 بر 10 % پهنای باند برسد. انرژی فوتون می تواند با تغییر انرژی باریکه الکترون تنظیم شود. تک انرژی کردن تابش کانالی و حذف تابش ترمزی زمینه با به کار بردن پراش پرتو X در یک بلور گرافیت بررسی شده است.

1در این پژوهش به طراحی یک گیت فردکین تمام نوری در محدوده طول موج کاری 1550 نانومتر پرداخته ایم. ساختار پیشنهادی دارای ابعاد کوچک نسبت به تحقیقات ارزشمند گروه های تحقیقاتی پیشین می باشد. اساس اصلی این طراحی ایجاد حفره های هوایی بر بستر سیلیکون است. بستر سیلیکونی استفاده شده با شعاع 466 نانومتر و حفره های هوایی ایجاد شده دارای 177 نانومتر شعال می باشند. جهت مدلسازی ساختار پیشنهادی روش حل عددی تفاضل محدود در حوزه زمان مورد استفاده قرار گرفته است.  جهت بررسی استفاده اثر غیرخطی در مدل پیشنهادی، از یک حلقه غیر خطی از جنس گلس دوپ شده با ضریب شکست 1.4 و ضریب شکست غیر خطی 10-14 m2/W استفاده شده است.  جهت ارزیابی دقیق مدل پیشنهادی پارامترهای پاسخ زمانی و نرخ کنتراست بررسی شده است. همانطور که نتایج نشان می دهد، بهترین زمان خیزش 0.21 ps و زمان افت 0.02 ps، و همچنین نرخ کنتراست 4.31 dB خواهد بود.